ZnGeP2 - Optics neo-loidhneach fo-dhearg shàthaichte
Tuairisgeul toraidh
Mar thoradh air na feartan sònraichte sin, tha e aithnichte mar aon de na stuthan as gealltanach airson tagraidhean optigeach neo-loidhneach.Faodaidh ZnGeP2 3–5 μm a ghineadh leusair tunable leantainneach a chuir a-mach tron teicneòlas oscillation parametric optigeach (OPO).Tha lasers, ag obair anns an uinneag tar-chuir àile de 3–5 μm air leth cudromach airson mòran thagraidhean, leithid tomhas-aghaidh fo-dhearg, sgrùdadh ceimigeach, uidheamachd meidigeach, agus mothachadh iomallach.
Is urrainn dhuinn ZnGeP2 càileachd optigeach àrd a thabhann le co-èifeachd sùghaidh fìor ìosal α <0.05 cm-1 (aig tonnan pumpa 2.0-2.1 µm), a ghabhas cleachdadh gus leusair tunable meadhan-infridhearg a ghineadh le àrd èifeachdas tro phròiseasan OPO no OPA.
Ar Comas
Chaidh Teicneòlas Raon Teòthachd Dynamic a chruthachadh agus a chuir an sàs gus polycrystalline ZnGeP2 a cho-chur.Tron teicneòlas seo, chaidh còrr air 500g polycrystalline ZnGeP2 àrd-ghlan le gràinean mòra a cho-chur ann an aon ruith.
Chaidh modh reothadh caisead còmhnard còmhla ri Teicneòlas Necking Directional (a dh’ fhaodadh an dùmhlachd gluasaid a lughdachadh gu h-èifeachdach) a chuir an sàs gu soirbheachail ann am fàs ZnGeP2 de chàileachd àrd.
Tha an ZnGeP2 àrd-inbhe aig ìre cileagram leis an trast-thomhas as motha san t-saoghal (Φ55 mm) air fhàs gu soirbheachail le modh Vertical Gradient Freeze.
Tha garbh uachdar agus rèidh nan innealan criostail, nas lugha na 5Å agus 1/8λ fa leth, air fhaighinn leis an teicneòlas làimhseachadh uachdar grinn againn ribe.
Tha an claonadh ceàrn mu dheireadh de na h-innealan criostail nas ìsle na 0.1 ceum mar thoradh air cleachdadh stiùireadh mionaideach agus dòighean gearraidh mionaideach.
Chaidh na h-innealan le coileanadh sàr-mhath a choileanadh air sgàth càileachd àrd criostalan agus teicneòlas giollachd criostail àrd-ìre (Chaidh an leusair tunable meadhan-infridhearg 3-5μm a chruthachadh leis an èifeachdas tionndaidh nas àirde na 56% nuair a thèid a phumpadh le solas 2μm stòr).
Tha a’ bhuidheann rannsachaidh againn, tro sgrùdadh leantainneach agus ùr-ghnàthachadh teignigeach, air maighstireachd a dhèanamh air teicneòlas synthesis de polycrystalline àrd-purity ZnGeP2, an teicneòlas fàis de mheud mòr agus ZnGeP2 de chàileachd àrd agus stiùireadh criostail agus teicneòlas giollachd àrd-chruinneas;is urrainn dhaibh innealan ZnGeP2 agus criostalan tùsail a dh’ fhàs ann an sgèile mòr a thoirt seachad le èideadh àrd, co-èifeachd ionsachaidh ìosal, deagh sheasmhachd, agus èifeachdas tionndaidh àrd.Aig an aon àm, tha sinn air seata iomlan de àrd-ùrlar deuchainn coileanadh criostail a stèidheachadh a bheir comas dhuinn seirbheisean deuchainn coileanadh criostail a thoirt seachad do luchd-ceannach.
Iarrtasan
● An dàrna, an treas, agus an ceathramh ginealach harmonic de CO2-laser
● Gineadh parametric optigeach le pumpadh aig tonn-tonn de 2.0 µm
● An dàrna ginealach harmonic de CO-laser
● A’ toirt a-mach rèididheachd ciallach ann an raon submillimeter bho 70.0 µm gu 1000 µm
● Tha gineadh triceadan co-cheangailte de rèididheachd CO2- agus CO-lasers agus leusairean eile ag obair anns an roinn follaiseachd criostail.
Feartan bunaiteach
| Ceimigeach | ZnGeP2 |
| Co-chothromachd criostail agus clas | tetragonal, -42m |
| Parameters Lattice | a = 5.467 Å c = 12.736 Å |
| Dùmhlachd | 4.162 g / cm3 |
| Mohs cruas | 5.5 |
| Clas Optical | Uniaxial adhartach |
| Raon tar-chuir feumail | 2.0 um - 10.0 um |
| Giùlan teirmeach @ T = 293 K | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K (∥ c) |
| Leudachadh teirmeach @ T = 293 K gu 573 K | 17.5 x 106 K-1 (⊥c) 15.9 x 106 K-1 ( ∥ c) |
Paramadairean Teicnigeach
| Tolerance trast-thomhas | +0/-0.1 mm |
| Fulangas Faid | ±0.1 mm |
| Fulangas treòrachadh | <30 arc |
| Càileachd Surface | 20-10 SD |
| Flatness | <λ/4@632.8 nm |
| Co-shìnteachd | <30 airc |
| Perpendicularity | <5 arc |
| Chamfer | <0.1mm x 45° |
| Raon follaiseachd | 0.75 - 12.0 ?m |
| Co-èifeachdan neo-loidhneach | d36 = 68.9 pm/V (aig 10.6μm) d36 = 75.0 pm/V (aig 9.6 μm) |
| Sgeama Milleadh | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
